FDB2532

功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET Trench

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • FDB2532
  • 32500
  • FAIRC
  • 16+
  • TO-263(D2PAK)
  • 全新原装现货库存 
  • 立即询价
  • FDB2532
  • 6361
  • FSC
  • 2017+
  • TO-263
  • 原装现货,大量现货库存,绝对正品 
  • 立即询价